L2SA1576ART1G

LRC
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L2SA1576AQT1G Series z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ORDERING INFORMATION 3 Device Shipping Package L2SA1576AQLT1G Series SC-70 3000/Tape & Reel L2SA1576AQLT3G Series SC-70 10000/Tape & Reel 1 2 SC-70/SOT– 323 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1774RT1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L2SA1576AQT1G Series z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ORDERING INFORMATION 3 Device Shipping Package L2SA1576AQLT1G Series SC-70 3000/Tape & Reel L2SA1576AQLT3G Series SC-70 10000/Tape & Reel 1 2 SC-70/SOT– 323 MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO –50 V Collector–Base Voltage V CBO –60 V Emitter–Base Voltage V –6.0 V EBO 3 COLLECTOR 1 BASE Collector Current — Continuous IC –150 mAdc Collector power dissipation PC 0.15 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature T stg -55 ~+150 °C 2 EMITTER DEVICE MARKING L2SA1576AQT1G =FQ L2SA1576ART1G=FR L2SA1576AST1G =FS ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Characteristic Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –1 mA) Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = – 50 µA) Collector–Base Breakdown Voltage (IC = – 50 µA) Collector Cutoff Current (VCB = – 60 V) Emitter cutoff current (VEB = – 6 V) Collector-emitter saturation voltage (IC/ IB = – 50 mA / – 5m A) DC current transfer ratio (V CE = – 6 V, I C= –1mA) Transition frequency (V CE = – 12 V, I E= 2mA, f=30MHz ) Output capacitance (V CB = – 12 V, I E= 0A, f =1MHz ) Symbol Min Typ Max Unit V – 50 — — V V (BR)EBO –6 — — V V – 60 — — V I CBO — — – 0.1 µA I EBO — — – 0.1 µA V CE(sat) — — -0.5 V h FE 120 –– 560 –– fT — 140 –– MHz C ob — 4.0 5.0 pF (BR)CEO (BR)CBO h FE values are classified as follows: * hFE Q 120~270 R 180~390 S 270~560 Rev.O 1/4 PDF
Документация на L2SA1576ART1G 

Дата модификации: 22.08.2012

Размер: 114.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)