L8550HPLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L8550HPLT1G Series S-L8550HPLT1G Series FEATURE ƽHigh current capacity in compact package. ƽEpitaxial planar type. 3 ƽPNP complement: L8550H ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= L8550HQLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
P= SS8550-M (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= PMMT591A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= L8550HRLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
P= SS8550-L (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon L8550HPLT1G Series S-L8550HPLT1G Series FEATURE ƽHigh current capacity in compact package. ƽEpitaxial planar type. 3 ƽPNP complement: L8550H ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 2 SOT–23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device COLLECTOR 3 Shipping Marking L8550HPLT1G s-L8550HPLT1G 1HB 3000/Tape&Reel L8550HPLT3G s-L8550HPLT3G 1HB 10000/Tape&Reel L8550HQLT1G s-L8550HQLT1G 1HD 3000/Tape&Reel L8550HQLT3G s-L8550HQLT3G 1HD 10000/Tape&Reel L8550HRLT1G s-L8550HRLT1G 1HF 3000/Tape&Reel L8550HRLT3G s-L8550HRLT3G 1HF 10000/Tape&Reel L8550HSLT1G s-L8550HSLT1G 1HH 3000/Tape&Reel L8550HSLT3G s-L8550HSLT3G 1HH 10000/Tape&Reel 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Symbol Max Unit VCEO VCBO VEBO IC -25 -40 V V -5 -1500 V mAdc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Max Unit TA=25°C 225 mW Derate above 25°C 1.8 mW/°C 556 °C/W Alumina Substrate,(2) TA=25°C 300 mW Derate above 25°C 2.4 mW/°C R θJ A 417 °C/W T j,T St g -55 to +150 °C Total Device Dissipation FR-5 Board,(1) Thermal Resistance,Junction to Ambient Total Device Dissipation Thermal Resistance,Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol PD R θJ A PD 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.A 1/3 PDF
Документация на L8550HPLT1G 

Дата модификации: 23.08.2012

Размер: 89.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.