SS8550-L

Биполярный P-N-P - транзистор. Напряжение коллектор-эмиттер -25 В; ток коллектора -1500 мА; мощность рассеивания 300 мВт; коэффициент усиления по току h21 120…200; fT 100 МГц; корпус SOT-23
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= L8550HPLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
P= SS8550-M (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= L8550HQLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
P= PMMT591A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= L8550HRLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
P- SS8550-H (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.