LBAS21LT1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 250 В, ток до 225 мА, с падением напряжения 1 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAS21 (DC)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS21 (JSCJ)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS21 (YJ)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS21 (ANBON)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAS21 (SHIKUES)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= BAS20 (JSCJ)
 

BAS20 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS19 (JSCJ)
 

BAS19 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= LBAS21HT1G (LRC)
 
SOD323 1050 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250V V(RRM), Silicon
P= BAV21WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Switching Diode LBAS21LT1G S-LBAS21LT1G FEATURE • We declare that the material of product compliance with 3 RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 SOT– 23 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LBAS21LT1G S-LBAS21LT1G JS 3000/Tape&Reel LBAS21LT3G S-LBAS21LT3G JS 10000/Tape&Reel 1 ANODE 3 CATHODE MAXIMUM RATINGS Symbol Value Unit Continuous Reverse Voltage Rating VR Peak Forward Current Peak Forward Surge Current IF 250 225 625 Vdc mAdc mAdc I FM(surge) THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit PD 225 mW 1.8 mW/°C °C/W Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C RθJA 556 PD 300 mW 2.4 mW/°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature RθJA TJ , Tstg 417 –55 to +150 °C/W °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit — — 0.1 100 250 — — — 1000 1250 CD — 5.0 pF t rr — 50 ns OFF CHARACTERISTICS Reverse Voltage Leakage Current (V R = 200Vdc) (V R = 200Vdc, T J = 150°C) Reverse Breakdown Voltage (I BR = 100 µAdc) Forward Voltage (I F = 100 mAdc) (I F = 200 mAdc) Diode Capacitance (V R = 0, f = 1.0 MHz) Reverse Recovery Time (I F = I R = 30mAdc, R L = 100 Ω) 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. µAdc IR V (BR) VF Vdc mV Rev.O 1/3 PDF
Документация на LBAS21LT1G 

Дата модификации: 20.08.2012

Размер: 86.7 Кб

3 стр.

LBAS21LT1G S-LBAS21LT1G High Voltage Switching Diode 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● SOT23(TO-236) S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. 3 CATHODE 2. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES Device Marking Shipping LBAS21LT1G JS 3000/Tape&Reel LBAS21LT3G JS 10000/Tape&Reel 1 ANODE 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Parameter Continuous Reverse Voltage Peak Forward Current Peak Forward Surge Current Symbol Limits Unit VR IF IFSM 250 225 625 V mA mA Symbol Limits Unit PD 225 mW 1.8 mW/℃ RθJA 556 ℃/W PD 300 mW 2.4 mW/℃ RθJA 417 TJ , Tstg -55~+150 ℃/W ℃ 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation FR– 5 Board, (Note 1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Leshan Radio Company, LTD. Rev.B Apr. 2018 1/4 PDF
Документация на LBAS21LT1G 

Дата модификации: 02.01.1970

Размер: 276.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)