Вход / Регистрация

BAS21

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 250 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAS21 (DC)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS21 (YJ)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= LBAS21HT1G (LRC)
 
SOD323 1050 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250V V(RRM), Silicon
P= LBAS21LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BAS21 (ANBON)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAS20 (JSCJ)
 

BAS20 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS19 (JSCJ)
 

BAS19 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS21 (SHIKUES)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P- BAS321 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- BAV21WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P- BAV20WS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — —
P- BAV21WS (ANBON)
 
SOD323
 
 — — — —
P- BAV21WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes BAS21/A/C/S SWITCHING DIODE SOT-23 FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance BAS21 BAS21A BAS21C MARKING: JS MARKING:JS2 MARKING:JS3 JS JS2 JS3 BAS21S MARKING:JS4 JS4 Solid dot = Green molding compound device, JS2 JS JS3 if none, the normal device JS4 Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Repetitive peak reverse voltage VRRM Working peak reverse voltage VRWM Limit Unit 250 V DC blocking voltage VR Forward continuous current IFM 400 mA IO 200 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.5 A Repetitive peak forward surge current IFRM 625 mA Power dissipation PD 225 mW Thermal resistance junction to ambient RθJA 555 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Average rectified output current Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol V(BR) Test conditions IR= 100µA = VR 200V IR Reverse voltage leakage current Min Max 250 Unit V 0.1 µA 1000 1250 mV Forward voltage VF IF=100mA IF=200mA Diode capacitance CD VR=0V, f=1MHz 5 pF Reveres recovery time trr IF=IR=30mA,Irr=0.1×IR,RL=100Ω 50 ns www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на BAS21 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.05.2020

Размер: 1.29 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes BAS21/A/C/S SWITCHING DIODE SOT-23 FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance BAS21 BAS21A MARKING: JS MARKING:JS2 MARKING:JS3 JS JS2 JS3 BAS21S BAS21C MARKING:JS4 JS4 Solid dot = Green molding compound device, JS2 JS JS3 if none, the normal device JS4 Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Repetitive peak reverse voltage VRRM Working peak reverse voltage VRWM Limit Unit 250 V DC blocking voltage VR Forward continuous current IFM 400 mA IO 200 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.5 A Repetitive peak forward surge current IFRM 625 mA Power dissipation PD 225 mW Thermal resistance junction to ambient RθJA 555 ℃/W TJ 150 ℃ TSTG -55~+150 ℃ Average rectified output current Junction temperature Storage temperature range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Test conditions Min Max 250 Unit V V(BR) IR= 100µA Reverse voltage leakage current IR VR=200V 0.1 µA Forward voltage VF IF=100mA IF=200mA 1000 1250 mV Diode capacitance CD VR=0V, f=1MHz 5 pF Reveres recovery time trr IF=IR=30mA,Irr=0.1×IR,RL=100Ω 50 ns www.cj-elec.com 1 D,Nov,2015 PDF
Документация на BAS21 

Author: Administrator

Дата модификации: 27.11.2015

Размер: 698 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 октября 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты азиатских брендов в автомобильных фарах

    Современной тенденцией в автопромышленности является использование светодиодных фар в транспортных средствах. К их преимуществам можно отнести: малое энергопотребление, что особенно важно для электромобилей; большой срок службы; наличие... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)