BAS21

Anbon
Диод выпрямительный на напряжение до 250 В, ток до 2.5 А, с падением напряжения 1.25 В, ёмкостью перехода 5 пФ, производства Anbon (ANBON)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAS21 (YJ)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS21 (DC)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS21 (JSCJ)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS19 (JSCJ)
 

BAS19 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS20 (JSCJ)
 

BAS20 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS21 (SHIKUES)
 

BAS21 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= LBAS21LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= LBAS21HT1G (LRC)
 
SOD323 1050 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 250V V(RRM), Silicon
P= BAS21-Q1 (ANBON)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P- BAV21WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BAS21/A/C/S 225mW Surface Mount Switching Diode-250V FEATURES Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion For General Purpose Switching Applications High Conductance Compliant to Halogen-free Maximum Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Repetitive peak reverse voltage VRRM Working peak reverse voltage VRWM Limit Unit 250 V DC blocking voltage VR Forward continuous current IFM 400 mA IO 200 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.5 A Repetitive peak forward surge current IFRM 625 mA Power dissipation PD 225 mW Thermal resistance junction to ambient RθJA 555 ℃/W TJ 150 ℃ TSTG -55~+150 ℃ Average rectified output current Junction temperature Storage temperature range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Test conditions Min Max Unit 250 V V(BR) IR= 100µA Reverse voltage leakage current IR VR=200V 0.1 µA Forward voltage VF IF=100mA IF=200mA 1000 1250 mV Diode capacitance CD VR=0V, f=1MHz 5 pF Reveres recovery time trr IF=IR=30mA,Irr=0.1×IR,RL=100Ω 50 ns http://www.anbonsemi.com TEL:+86-755-23776891 FAX:+86-755-81482182 AS-3120035 2022/05/16 E PDF
Документация на BAS21 

BAS21_BAS21A_BAS21C_BAS21S

Дата модификации: 27.11.2015

Размер: 2.19 Мб

3 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 октября 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты азиатских брендов в автомобильных фарах

    Современной тенденцией в автопромышленности является использование светодиодных фар в транспортных средствах. К их преимуществам можно отнести: малое энергопотребление, что особенно важно для электромобилей; большой срок службы; наличие... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)