LBAS316T1G

LRC
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 250 мА , производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 36

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — —
P= BAS316 (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS316 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (SHIKUES)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 550 шт
 
 — — — — — —
P= BAS16WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS316 (SHIKUES)
 
SOD323 в ленте 500 шт
 
 — — — — — —
P= BAS16WX (JSCJ)
 
SOD323
 
 — —
P= MMDL914 (JSCJ)
 
SOD323 в коробках 3000 шт
 
 — —
P= 1N4148WSQ (YJ)
 
SOD323
 
P= BAS316Q (YJ)
 
SOD323
 
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (SHIKUES)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — — — —
P= BAS16 (JSCJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= 1N4448WS (JSCJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (JSCJ)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 6000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAS16 (YJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= LBAS16LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBD914 (ANBON)
 

MMBD914 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAS16 (SHIKUES)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= LMBD6050LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBD4148A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM)
P= MMBD4148 (ANBON)
 

MMBD4148 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (DC)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — — — —
P= BAV19WS (JSCJ)
 

BAV19WS (DIODES) 		SOD323
 
 — —
P= BAS16W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
P= BAS16WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAS16WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS416 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon
P= L1SS356T1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= BAV16W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 60 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (YJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (YJ)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123
 
 — — — —
P= LMDL6050T1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-speed diode LBAS316T1G S-LBAS316T1G DESCRIPTION The LBAS316T1 is a high-speed switching diode fabricated in planar technology, and encapsulated in the SOD323(SC76) SMD 1 plastic package. FEATURES · Ultra small plastic SMD package · High switching speed: max. 4 ns · Continuous reverse voltage: max. 75 V · Repetitive peak reverse voltage: max. 100 V · Repetitive peak forward current: max. 500 mA. · We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. · S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 2 SOD– 323 1 CATHODE 2 ANODE APPLICATIONS · High-speed switching in e.g. surface mounted circuits. ORDERING INFORMATION Device Marking LBAS316T1G S-LBAS316T1G Z9 LBAS316T3G S-LBAS316T3G Z9 Shipping 3000 Tape & Reel 10000 Tape & Reel ELECTRICAL CHARACTERISTICS T j =25°C unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VF forward voltage see Fig.2 I F = 1 mA I F = 10 mA I F =50 mA I F = 150 mA IR reverse current see Fig.4 V R = 25 V V R =75 V V R = 25 V; T j = 150 °C V R = 75 V; T j = 150 °C; Cd t rr diode capacitance reverse recovery time V fr forward recovery voltage f = 1 MHz; V R = 0; see Fig.5 when switched from I F =10mA to I R = 10mA; R L = 100 Ω; measured at I R = 1 mA; see Fig.6 when switched from IF = 10 mA; tr = 20 ns; see Fig.7 MAX. UNIT 715 855 mV mV 1 1.25 V V 30 1 nA µA 30 50 µA µA 2 4 pF ns 1.75 V Rev.O 1/4 PDF
Документация на LBAS316T1G 

a1

Дата модификации: 12.09.2012

Размер: 231.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)