1N4448WS

JSCJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 75 В, ток до 250 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4448WS (YJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= L1SS400BST5G (LRC)
 
SOD882
 
 — — — —
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — —
P= 1N4448WS (SHIKUES)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — — — —
P= 1N4448 (DC)
 

1N4448 (ONS-FAIR) 		DO35 в ленте 5000 шт —
P= 1N4148WT (SHIKUES)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — — — —
P= 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт — —
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WT (SHIKUES)
 

1N4448WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — — — —
P= 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR) 		SOD-523 — — — —
A- BAS316 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAS316 (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — —
A- 1N4448WSQ (YJ)
 
SOD323
 
A- BAS316Q (YJ)
 
SOD323
 

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes 1N4448WS FAST SWITCHING DIODE SOD-323 FEATURES     Small Package Low Reverse Current Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion MARKING: T5 T5 T5 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V 75 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @t=8.3ms IFSM 2.0 A Power Dissipation Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W TJ,TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Symbol Min V (BR)R 75 VF1 0.62 Typ Max Unit Conditions V = IR 10μA 0.72 V IF=5mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=100mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 2.5 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V Capacitance Between Terminals CT 4 pF VR=0V,f=1MHz Reverse Recovery Time trr 4 ns Reverse Breakdown Voltage Forward Voltage Reverse Current www.jscj-elec.com 1 IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω Rev. - 2.1 PDF
Документация на 1N4448WS 

Author: Administrator

Дата модификации: 28.06.2020

Размер: 688 Кб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes 1N4448WS FAST SWITCHING DIODE SOD-323 FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance MARKING: T5 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃ Parameter Symbol Limit Unit Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRM 100 V 75 V Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM DC Blocking Voltage VR RMS Reverse Voltage VR(RMS) 53 V Forward Continuous Current IFM 500 mA Average Rectified Output Current IO 250 mA Peak Forward Surge Current @t=1.0μs @t =1.0s Power Dissipation Thermal Resistance Junction to Ambient Storage Temperature 4.0 IFSM A 1.5 Pd 200 mW RθJA 625 ℃/W TSTG -55~+150 ℃ Electrical Ratings @Ta=25℃ Parameter Reverse breakdown voltage Symbol Reverse current Capacitance between terminals Reverse recovery time Typ Max 75 V (BR) VF1 Forward voltage Min V Conditions IR=10μA 0.72 V IF=5mA VF2 0.855 V IF=10mA VF3 1.0 V IF=100mA VF4 1.25 V IF=150mA IR1 2.5 μA VR=75V IR2 25 nA VR=20V CT 4 pF VR=0V,f=1MHz trr 0.62 Unit 4 ns IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω B,Mar,2012 PDF
Документация на 1N4448WS 

Microsoft Word - 1N4448WS_SOD-323_.doc

Дата модификации: 20.03.2012

Размер: 2.13 Мб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)