LBC807-25WT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
LBC807-25WT1G
FEATURE
ƽCollector current capability IC = -500 mA.
ƽCollector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V.
3
ƽGeneral purpose switching and amplification.
ƽPNP complement: LBC807 Series.
ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
1
2
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
Mark...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC807
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Тип проводимости и конфигурация | ||
|---|---|---|
| Рассеиваемая мощность | ||
| Напряжение КЭ максимальное | ||
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
| Ток коллектора | ||
| Граничная рабочая частота | ||
| Коэффициент усиления по току | ||
| Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.