LBC807-25LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-16LT1G LBC807-25LT1G LBC807-40LT1G FEATURE ƽCollector current capability IC = -500 mA. ƽCollector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. ƽGeneral purpose switching and amplification. 3 ƽPNP complement: LBC807 Series. ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 DEVICE MARKING AND ORD...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBSS5350SY3T1G (LRC)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ LBSS5350SZ4TZHG (LRC)
 
 
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC807-25WT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC807-40LT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC807-40WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть
Документация на LBC807-16LT1G 

Дата модификации: 24.08.2012

Размер: 138.5 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.