LBC807-40LT1G

LRC
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-16LT1G LBC807-25LT1G LBC807-40LT1G FEATURE ƽCollector current capability IC = -500 mA. ƽCollector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. ƽGeneral purpose switching and amplification. 3 ƽPNP complement: LBC807 Series. ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 DEVICE MARKING AND ORD...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ LBC807-40WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBSS5350SY3T1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-16LT1G LBC807-25LT1G LBC807-40LT1G FEATURE ƽCollector current capability IC = -500 mA. ƽCollector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. ƽGeneral purpose switching and amplification. 3 ƽPNP complement: LBC807 Series. ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking SOT–23 Shipping LBC807-16LT1G 5A1 3000/Tape&Reel LBC807-16LT3G 5A1 10000/Tape&Reel LBC807-25LT1G 5B1 3000/Tape&Reel LBC807-25LT3G 5B1 10000/Tape&Reel LBC807-40LT1G 5C1 3000/Tape&Reel LBC807-40LT3G 5C1 10000/Tape&Reel 3 COLLECTOR 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO –45 V Collector–Base Voltage V CBO –50 V Emitter–Base Voltage V –5.0 V –500 mAdc Collector Current — Continuous EBO IC THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit 225 1.8 mW mW/°C 556 °C/W 300 2.4 mW mW/°C R θJA 417 °C/W T J , T stg –55 to +150 °C Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C PD Thermal Resistance, Junction to Ambient R θJA Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient PD Junction and Storage Temperature 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/10 PDF
Документация на LBC807-16LT1G 

Дата модификации: 24.08.2012

Размер: 138.5 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    MMBT5401 (YJ)