LBC807-40WT1G

LBC807-40WT1G S-LBC807-40WT1G PNP Silicon General Purpose Transistors 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 SC70(SOT-323) qualified and PPAP capable. 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC807-40 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807-25W (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
P= BC807-40W (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807W (JSCJ)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ LBC807-40LT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBSS5350SY3T1G (LRC)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ LBSS5350SZ4TZHG (LRC)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.