LBC847CDW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Duals LBC846ADW1T1G LBC846BDW1T1G LBC847BDW1T1G LBC847CDW1T1G LBC848BDW1T1G LBC848CDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is designed for low power surface mount applications. We declare that the material of product compliance with RoHS require...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Документация на LBC847CDW1T1G 

Дата модификации: 27.08.2012

Размер: 209.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.