LBC847CDW1T1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Dual General Purpose Transistors
NPN Duals
LBC846ADW1T1G
LBC846BDW1T1G
LBC847BDW1T1G
LBC847CDW1T1G
LBC848BDW1T1G
LBC848CDW1T1G
These transistors are designed for general purpose amplifier
applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is
designed for low power surface mount applications.
We declare that the material of product compliance with
RoHS require...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC847
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | — | |
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.