LBTN5100Z4TZHG
LBTN5100Z4TZHG
S-LBTN5100Z4TZHG
100 V NPN transistor
1. FEATURES
●
Low collector-emitter saturation voltage
●
High collector current capability
●
High collector current gain.
●
High efficiency due to less heat generation.
●
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area.
●
We declare that the material of product compliance with
SOT223
COLLECTOR
RoHS requirements and Halogen Fre...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: SOT-223
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-223 | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация | ||
| Напряжение КЭ максимальное | ||
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
| Ток коллектора | ||
| Граничная рабочая частота | ||
| Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.