LMBT5401LT1G

LRC
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor FEATURE LMBT5401LT1G S-LMBT5401LT1G ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 LMBT5401LT1G S-LM...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5401 (YJ)
 

MMBT5401 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= FMMT593 (JSCJ)
 

FMMT593 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2N5401 (DC)
 

2N5401 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 4000 шт Биполярный транзистор - — — — —
A+ MMST5401 (JSCJ)
 
—
 
 — — —
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
—
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High Voltage Transistor FEATURE LMBT5401LT1G S-LMBT5401LT1G ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping 3 LMBT5401LT1G S-LMBT5401LT1G LMBT5401LT3G S-LMBT5401LT3G 2L 3000/Tape&Reel 2L 10000/Tape&Reel 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage Symbol Value Unit V CEO V CBO V EBO – 150 – 160 – 5.0 Vdc Vdc Vdc IC – 500 mAdc Collector Current — Continuous SOT– 23 3 COLLECTOR THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR- 5 Board (1) T A =25 °C Derate above 25°C PD 225 mW 1.8 mW/°C 556 °C/W PD 300 mW R θJA T J , Tstg 2.4 417 –55to+150 mW/°C °C/W °C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature R θJA 1 BASE 2 EMITTER DEVICE MARKING LMBT5401LT1G=2L ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Ma x Unit – 150 — – 160 — -5.0 — — – 50 nAdc — – 50 µAdc OFF CHARACTERISTICS Collector–Emitter Breakdown Voltage (I C = –1.0 mAdc, I B = 0) Collector–Base Breakdown Voltage (I C = –100 µAdc, I E = 0) Emitter-BAse Breakdown Voltage (I E= –10µAdc,I C=0) Collector Cutoff Current (V CB = –120 Vdc, IE= 0) (V CB = –120 Vdc, IE= 0, T A=100 °C) V (BR)CEO Vdc V (BR)CBO Vdc V(BR)EBO Vdc I CBO 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/5 PDF
Документация на LMBT5401LT1G 

Дата модификации: 27.08.2012

Размер: 122.1 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)