NCE0202M

NCE
NCE0202M http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0202M uses advanced trench technology and D design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G General Features ● VDS = 200V,ID =2A S RDS(ON) < 580mΩ @ VGS=10V (Typ:520mΩ) Schematic diagram RDS(ON) < 600mΩ @ VGS=10V (Typ:540mΩ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCE0202ZA (NCE)
 
TO-92-3 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE0202M http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0202M uses advanced trench technology and D design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. G General Features ● VDS = 200V,ID =2A S RDS(ON) < 580mΩ @ VGS=10V (Typ:520mΩ) Schematic diagram RDS(ON) < 600mΩ @ VGS=10V (Typ:540mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Power switching application SOT-89 -3L top view ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 0202M NCE0202M SOT-89-3L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 2 A IDM 8 A PD 1.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 83.3 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 200 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=200V,VGS=0V - - 1 μA Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 Off Characteristics v1.0 PDF
Документация на NCE0202M 

Microsoft Word - NCE0202M data sheet.doc

Дата модификации: 29.09.2019

Размер: 283.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)