Вход / Регистрация

NCE1540AF

NCE
NCE1540AF http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1540AF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =150V,ID =20A RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=10V Schematic diagram (Typ:30mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
NCE1540AF http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1540AF uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =150V,ID =20A RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=10V Schematic diagram (Typ:30mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Marking and pin assignment 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! TO-220F top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE1540AF NCE1540AF TO-220F - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V ID 20 A ID (100℃) 14 A Pulsed Drain Current IDM 60 A Maximum Power Dissipation PD 37 W 0.3 W/℃ EAS 320 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCE1540AF 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 14.06.2023

Размер: 554.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)