NCE15P25JK
NCE15P25JK
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE15P25JK uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can
be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =-150V,ID =-25A
Schematic diagram
RDS(ON) <150mΩ @ VGS=-10V （Typ.=120mR）
RDS(ON) <160mΩ @ VGS=-4.5V （Typ.=131m...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 1000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | IRFR6215 (EVVO) IRFR6215 (INFIN) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | WMO18P10TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.