NCE2060K

NCE
NCE2060K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2060K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =20V,ID =60A RDS(ON) <6mΩ @ VGS=4.5V Schematic diagram RDS(ON) <9mΩ @ VGS=2.5V ● High density cell design for ultra l...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD90N02A (YJ)
 
— Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ JMTK2006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE2060K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2060K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =20V,ID =60A RDS(ON) <6mΩ @ VGS=4.5V Schematic diagram RDS(ON) <9mΩ @ VGS=2.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits Marking and pin assignment ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-252-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE2060K NCE2060K TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V ID 60 A ID (100℃) 42 A Pulsed Drain Current IDM 210 A Maximum Power Dissipation PD 60 W 0.48 W/℃ EAS 231 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v2.0 PDF
Документация на NCE2060K 

Microsoft Word - NCE2060K data sheet.doc

Дата модификации: 30.12.2021

Размер: 388.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)