NCE2060K
NCE2060K
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE2060K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =20V,ID =60A
RDS(ON) <6mΩ @ VGS=4.5V
Schematic diagram
RDS(ON) <9mΩ @ VGS=2.5V
● High density cell design for ultra l...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMO60N02T1 (WAYON) | TO252 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | WMB90N02TS (WAYON) | — |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | |||
| A+ | JMTQ90N02A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMO90N02T1 (WAYON) | TO252 |  |  |  | — |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE2060K
Microsoft Word - NCE2060K data sheet.doc
Дата модификации: 30.12.2021
Размер: 388.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.