WMJ25N80M3

WAYON
WML25N8 80M3, WM MM25N80M M3 WMN2 25N80M3, WMJ25N8 80M3, WM MK25N80M M3 800V V 0.21Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G D T and low ga ate charge performancce. WMOSTM M3 is S G S D G TO-22 20F suitable fo or a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML80R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMM25N80M3 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ WMM80R260S (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
 — — — — —
A+ WML25N80M3 (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
 — — — — —
A+ WMK25N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMK80R260S (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ80R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML25N8 80M3, WM MM25N80M M3 WMN2 25N80M3, WMJ25N8 80M3, WM MK25N80M M3 800V V 0.21Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G D T and low ga ate charge performancce. WMOSTM M3 is S G S D G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.21Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WM MN/WMM/WM MJ/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 800 V ID 21 A 12 A IDM M 78 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 450 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.25 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 4 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge 1) Continuous diode forward d current Diode pulse e current2) 250 38 W 2.0 0.3 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 21 A IS,puulse 78 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MN/WMM/WM MJ/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.55 3.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.3.0, 201 19 Doc.W088 80015 1 / 12 PDF
Документация на серию WMx25N80M3 

Microsoft Word - WMx25N80M3 W0880015 V3.0

Дата модификации: 12.01.2022

Размер: 668.1 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)