NCE2309

NCE
NCE2309 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2309 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-1.6A Schematic diagram RDS(ON) <160mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <200mΩ @ VGS=-4.5V ● High...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS84KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE2309 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2309 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-1.6A Schematic diagram RDS(ON) <160mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <200mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Marking and pin Assignment Application ● Load switch ● PWM application SOT-23 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE2309 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -1.6 A Pulsed Drain Current IDM -8 A PD 1.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 83.3 ℃/W (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance, Junction-to-Ambient(Note 2) Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=-250μA -60 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=-60V,VGS=0V - - -1 μA Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V6.0 PDF
Документация на NCE2309 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 19.12.2022

Размер: 630.7 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)