NCE30H29D

Pb Free Product NCE30H29D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H29D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V ,ID =290A Schematic diagram RDS(ON) < 1.8mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ HGQ011N03A-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
A+ HGP018N04A (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
в ленте 15 шт
 
±
A+ NCE40H32LL (NCE)
 
 
±
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CRTT020N04N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE30H29D 

Microsoft Word - NCE30H29D data sheet.doc

Дата модификации: 23.10.2017

Размер: 416.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.