NCE30H29D

NCE
Pb Free Product NCE30H29D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H29D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V ,ID =290A Schematic diagram RDS(ON) < 1.8mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE30H29D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H29D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V ,ID =290A Schematic diagram RDS(ON) < 1.8mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Marking and pin assignment Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-263-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE30H29D NCE30H29D TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 290 A ID (100℃) 205 A Pulsed Drain Current IDM 1160 A Maximum Power Dissipation PD 270 W 1.8 W/℃ EAS 1600 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) (Silicon Limited) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE30H29D 

Microsoft Word - NCE30H29D data sheet.doc

Дата модификации: 23.10.2017

Размер: 416.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)