NCE40H30D

NCE40H30D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V ,ID =300A RDS(ON) < 1.8mΩ @ VGS=10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully char...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL040SAG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ CRTT020N04N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
A+ CRSM010N04L2 (CRMICRO)
 
PDFN568
 
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
в ленте 15 шт
 
±
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ HGP018N04A (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE40H30D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H30D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V ,ID =300A RDS(ON) < 1.8mΩ @ VGS=10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits Marking and pin assignment ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-263-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE40H30D NCE40H30D TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 300 A ID (100℃) 212 A Pulsed Drain Current IDM 840 A Maximum Power Dissipation PD 350 W 2.33 W/℃ EAS 2500 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.43 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE40H30D 

Microsoft Word - NCE40H30D data sheet.doc

Дата модификации: 17.12.2018

Размер: 401.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.