NCE55P15I
Pb Free Product
NCE55P15I
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE55P15I uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =-55V,ID =-15A
RDS(ON) <75mΩ @ VGS=-10V
Schematic diagram
● High density cell design for ultra low Rdso...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 4500 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJU55P30 (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| P- | JMPL0648AK (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRFU9024N (EVVO) IRFU9024N (INFIN) | TO251 | в линейках 3000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE55P15I
Microsoft Word - NCE55P15I.doc
Дата модификации: 24.02.2016
Размер: 362.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.