NCEP015N30GU

NCEP015N30GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency sw...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ HGQ014N04A-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
A+ HGQ011N03A-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
A+ HGP018N04A (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 
A+ CRSM020N04L2 (CRMICRO)
 
 
A+ NCEP40T20ALL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP40T17AG (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T17A (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP30T21GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP30T17GU (NCE)
 
 
±
A+ JMSL0401BG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0302AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6
 
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ HGQ014N04B-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP015N30GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. RDS(ON)=1.3mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=1.9mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter for ● VDS =30V,ID =170A ● Very low on-resistance RDS(on) Application ● Ideal General Features high-frequency switching and synchronous ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P015N30GU NCEP015N30GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 170 A ID (100℃) 130 A Pulsed Drain Current IDM 680 A Maximum Power Dissipation PD 95 W 0.76 W/℃ EAS 583 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.31 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP015N30GU 

Microsoft Word - NCEP015N30GU data sheet.doc

Дата модификации: 22.07.2020

Размер: 348 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.