NCEP035N12D

NCE
NCEP035N12,NCEP035N12D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =120V,ID =190A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.0mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
— 180 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP035N12,NCEP035N12D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =120V,ID =190A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.0mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)=2.8mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP035N12 NCEP035N12 TO-220 - - - NCEP035N12D NCEP035N12D TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 120 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 190 A ID (100℃) 135 A Pulsed Drain Current IDM 760 A Maximum Power Dissipation PD 300 W 2 W/℃ EAS 2300 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.5 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.0 PDF
Документация на NCEP035N12 

Microsoft Word - NCEP035N12D data sheet.doc

Дата модификации: 22.04.2020

Размер: 346 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)