NCEP092N10AS

NCE
NCEP092N10AS NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is General Features ● VDS =100V,ID =14A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=8.4mΩ , typical@ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=10.0mΩ , typical@ VGS=4.5V losses are minimized due to an ex...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 300 шт
 
 — —
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP092N10AS NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is General Features ● VDS =100V,ID =14A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=8.4mΩ , typical@ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=10.0mΩ , typical@ VGS=4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification SOP-8 Top View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP092N10AS NCEP092N10AS SOP-8 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 14 A ID (100℃) 10 A IDM 300 A PD 3.5 W EAS 350 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 36 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy (Note 4) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V2.0 PDF
Документация на NCEP092N10AS 

Microsoft Word - NCEP092N10AS data sheet1.doc

Дата модификации: 03.11.2020

Размер: 367.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)