NCEP15T14LL

NCE
NCEP15T14LL http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switchi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
 — — —
A+ JMSH1504NTL-13 (JIEJIE)
 
TO2473 2000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP15T14LL http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =150V,ID =170A RDS(ON)=5.0mΩ , typical@ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification TOLL Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP15T14LL NCEP15T14LL TOLL - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (TC=25℃) ID (TC=25℃) 170 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (TC =100℃) 120 A Drain Current-Continuous (TA=25℃) ID (TA=25℃) 16 A IDM 680 A Maximum Power Dissipation (TC=25℃) PD (TC=25℃) 380 W Maximum Power Dissipation (TA=25℃) PD(TA=25℃) 3.75 W 2.5 W/℃ EAS 1300 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.4 ℃/W RθJA 40 ℃/W Pulsed Drain Current (Note 1) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Wuxi NCE Power Co., Ltd (Note 2) Page 1 v2.0 PDF
Документация на NCEP15T14LL 

Microsoft Word - NCEP15T14LL data sheet.doc

Дата модификации: 30.12.2020

Размер: 372.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)