NCEP40T17AG

NCE
NCEP40T17AG http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP40T17AG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP40T17AG http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP40T17AG uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features ● VDS =40V,ID =170A Schematic Diagram RDS(ON)=1.4mΩ (typical) @ VGS=10V D D S S D D D D D D ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested S G G S S S Application ● DC/DC Converter Top View Bottom View ● Ideal for high-frequency switching and synchronous 100% UIS TESTED! rectification 100% ∆Vds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP40T17AG NCEP40T17AG DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 170 A ID (100℃) 120 A Pulsed Drain Current (Package Limited) IDM 400 A Maximum Power Dissipation PD 150 W 1.2 W/℃ EAS 1200 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP40T17AG 

Microsoft Word - NCEP40T17AG data sheet.doc

Дата модификации: 30.04.2021

Размер: 367 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)