2SJ053600L

Panasonic Industrial Europe GmbH
MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SMini3-G1
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Silicon MOSFETs (Small Signal) 2SJ0536 Silicon P-channel MOSFET Secondary battery packs (Li ion battery, etc.) For switching circuits (0.425) Unit: mm 0.3+0.1 –0.0 0.15+0.10 –0.05 ■ Features M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d 5˚ • High-speed switching • S-mini type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing • Low voltage drive (Vth: −1.0 V to 2.0 V) • Low ON resistance 2.1±0.1 1.25±0.10 3 2 1.3±0.1 2.0±0.2 Rating Unit VDSS −30 V Gate-source voltage (Drain open) Drain current Peak drain current Power dissipation Channel temperature Storage temperature 0.9±0.1 Symbol VGSO ±20 V ID −100 mA IDP −200 mA PD 150 mW Tch 150 °C Tstg −55 to +150 °C 0 to 0.1 ea s ht e v tp is :// it pa fo na llo so win ni g c. U co R .jp L a /s bo em u ic t la on te /e st -in in de for x. ma ht t m ion l . Parameter 0.9+0.2 –0.1 10˚ ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C Drain-sourse surrender voltage 0.2±0.1 1 (0.65) (0.65) EIAJ: SC-70 1: Gate 2: Source 3: Drain SMini3-G1 Package Marking Symbol: 2C ■ Electrical Characteristics Ta = 25°C ± 3°C Parameter Drain-source cutoff current Gate-source cutoff current Gate threshold voltage Forward transfer admittance Drain-source ON resistance Turn-on time Conditions Min Typ Max Unit IDSS VDS = −30 V, VGS = 0 − 0.1 µA IGSS VGS = ±20 V, VDS = 0 ±1.0 µA Vth VDS = −5 V, ID = −1 µA Yfs VDS = −5 V, ID = −10 mA RDS(on) −1.0 −2.0 8 V mS VGS = −5 V, ID = −10 mA 50 ton VDD = −5 V, VGS = 0 V ∼ −5 V RL = 200 Ω 100 µs toff VDD = −5 V, VGS = −5 V ∼ 0 V RL = 200 Ω 25 µs 75 Ω Pl Turn-off time Symbol Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors. 2. Observe precautions for handling. Electrostatic sensitive devices. Publication date: March 2004 SJF00017BED 1 PDF
Документация на 2SJ053600L 

2SJ0536 SJF00017BED

Дата модификации: 13.03.2007

Размер: 139.1 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7000 (DC)