2N7000

DC Components
Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид MCP100-315DI/TO

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-92-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
 ± — — — — —
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — —
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
— в ленте 300 шт
 
 — — —
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — —

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. 2N7000 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET Description Designed for low voltage and low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications. TO-92 Pinning .190(4.83) .170(4.33) 1 = Source 2 = Gate 3 = Drain o 2 Typ .190(4.83) .170(4.33) o 2 Typ Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage Characteristic VDSS 60 V Drain-Gate Voltage (RGS=1MΩ) VDGR 60 V Gate-Source Voltage (Continuous) VGS o Drain Current (Continuous, TC=25 C) Drain Current (Pulsed) 20 ID (1) 200 mA IDM 500 mA PD 350 2.8 mW o mW/ C Operating Junction Temperature TJ -55 to+150 Maximum Lead Temperature, for 10 Seconds Solding Purpose TSTG -55 to+150 TL 300 .022(0.56) .014(0.36) .050 Typ (1.27) V Total Power Dissipation o Derate above 25 C Storage Temperature .500 Min (12.70) .100 Typ (2.54) 3 2 1 o .022(0.56) .014(0.36) .148(3.76) .132(3.36) .050 o o 5 Typ. 5 Typ. (1.27) Typ C o C o C Dimensions in inches and (millimeters) Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS 60 - - V Test Conditions ID=10µA, VGS=0 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS - - 1 µA VDS=48V, VGS=0 Gate-Sourse Forward Leakage Current IGSSF - - 10 nA VGSF=15V, VDS=0 Gate-Sourse Reverse Leakage Current (1) Gate Threshold Voltage On-State Drain Current (1) (1) Static Drain-Source On-State Voltage (1) Static Drain-Source On-State Resistance (1) Forward Transconductance IGSSR - - -10 nA VGSR=-15V, VDS=0 VGS(th) 0.8 - 3 V VDS=3V, ID=1mA ID(on) 75 - - mA VDS=4.5V, VDS=10V VDS(on)1 - - 0.45 V ID=75mA, VGS=4.5V VDS(on)2 - - 2.5 V ID=500mA, VGS=10V RDS(on)1 - - 6 Ω ID=75mA, VGS=4.5V RDS(on)2 - - 5 Ω ID=500mA, VGS=10V gFS 100 - - µS VDS=10V, ID=200mA Input Capacitance Ciss - - 60 pF Output Capacitance Coss - - 25 pF Reverse Transfer Capacitance Crss - - 5 pF Thermal Resistance, Junction to Ambient RθJA - - 357 (1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2% o C/W VDS=25V, VGS=0, f=1MHZ - PDF
Документация на 2N7000 

Дата модификации: 08.12.2023

Размер: 215.2 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (DC)