2SJ058200L

Panasonic Industrial Europe GmbH
MOSFET P-CH 200V 2A U-G2
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус U-G2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Power MOSFETs 2SJ0582 Silicon P-channel power MOSFET ■ Package • Avalanche energy capability guaranteed • High-speed switching • No secondary breakdown • Code U-G2 • Pin Name 1: Gate 2: Drain 3: Source M Di ain sc te on na tin nc ue e/ d ■ Features • Non-contact relay • Solenoid drive • Motor drive • Control equipment • Switching mode regulator di p Pl lan nclu ea e se pla m d m des ne ain ain foll htt visit d te t o p:/ fo /w llo dis disc nan enan wing ww wi co on ce c fo .se ng ntin tin ty e ty ur mi UR ue ued pe pe Pro co L a d t ty du n.p bo yp pe ct life an ut e d as lat cy on es cle ic. t in sta co fo ge .jp rm . /en at i o / n. ■ Applications ■ Marking Symbol: J0582 ■ Internal Connection ■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C Parameter Symbol Rating Drain-source surrender voltage VDSS −200 Gate-source surrender voltage VGSS ±20 Drain current ID ±2 Peak drain current IDP ±4 Avalanche energy capability * EAS 10 Power dissipation PD 10 Ta = 25°C 1 Channel temperature Tch 150 Storage temperature Tstg −55 to +150 Note) *: L = 5 mH, IL = 2 A, 1 pulse Unit V V A A mJ W D G S °C °C Symbol IDSS IGSS VDSS Vth RDS(on) Yfs VDF Ciss Short-circuit forward transfer capacitance (Common source) Ma int en an ce /D isc on tin Parameter Drain-source cutoff current Gate-source cutoff current Drain-source surrender voltage Gate threshold voltage Drain-source ON resistance Forward transfer admittance Diode forward voltage ue ■ Electrical Characteristics TC = 25°C ± 3°C Conditions VDS = −160 V, VGS = 0 VGS = ±20 V, VDS = 0 ID = −1 mA, VGS = 0 VDS = −25 V, ID = −1 mA VGS = −10 V, ID = −1.0 A VDS = −25 V, ID = −1.0 A IDR = −2.0 A, VGS = 0 VDS = −20 V, VGS = 0, f = 1 MHz Min Typ 400 Unit µA µA V V Ω S V pF −200 −2.0 1.0 1.5 1.7 Max −10 ±10 −4.0 2.0 1.4 Short-circuit output capacitance (Common source) Coss 55 pF Reverse transfer capacitance (Common source) Crss 25 pF 12 15 50 25 ns ns ns ns °C/W °C/W Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time Thermal resistance (ch-c) Thermal resistance (ch-a) td(on) tr td(off) tf Rth(ch-c) Rth(ch-a) VDD = 100 V, ID = −1.0 A, RL = 100 Ω VGS = −10 V 12.5 125 Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors. Publication date: February 2008 SJG00001BED 1 PDF
Документация на 2SJ058200L 

2SJ0582 SJG00001BED

Дата модификации: 29.11.2011

Размер: 194.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7000 (DC)