BC847S

Shikues
BC847S DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES Two transistors in one package z Reduces number of components and board space z No mutual interference between the transistors z MARKING: 1C MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collecto...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847BS (SHIKUES)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC847BS (YJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC847S (JSCJ)
 

BC847S (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), NPN
P= LBC847BDW1T1G (LRC)
 
SOT-323-6 sot363 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BC847S DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN) SOT-363 FEATURES Two transistors in one package z Reduces number of components and board space z No mutual interference between the transistors z MARKING: 1C MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current –Continuous 0.1 A PC Collector Dissipation 200 mW TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=10µA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 45 V V(BR)EBO IE=10µA,IC=0 ICBO VCB=30V,IE=0 I EBO = IC=0, VEB 5V 6 V nA Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current DC current gain Group Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency Collector output capacitance REV.08 hFE VCE=5V,IC=2mA 15 5 200 450 VCE(sat)(1) IC=10mA,IB=0.5mA 0.1 VCE(sat)(2) IC=100mA,IB=5mA 0.3 VBE(sat) IC=10mA,IB=0.5mA fT Cob VCB=5V,IE=10mA,f=100MHz VCB=10V,IE=0,f=1MHz 1 of 4 µA V V V 0.77 MHz 100 1.5 pF PDF
Документация на BC847S 

Microsoft Word - BC846S _SOT-363_.doc

Дата модификации: 15.05.2023

Размер: 1.27 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)