BC856

Shikues
BC856 THRU BC860 BC856/857/858/859/860 TRANSISTOR（PNP） FEATURES • Switching and Amplifier Applications • Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits • Low Noise: BC859, BC860 • Complement to BC846 ... BC850 1.Base 2.Emitter 3.Collector SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) O Parameter Symbol Value Unit -VCBO -VCBO -VCBO -VCEO -VCEO -V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MMBT3906 (YJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5087 (SHIKUES)
 

MMBT5087 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 20 шт
 
 — — — —
A+ MMBT3906T (YJ)
 

MMBT3906T (ONS-FAIR) 		SOT-523
 
 — — — —
A+ MMST3906 (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PXT3906 (YJ)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ 2SA1037-Q (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SA1037-R (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BC856 THRU BC860 BC856/857/858/859/860 TRANSISTOR（PNP） FEATURES • Switching and Amplifier Applications • Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits • Low Noise: BC859, BC860 • Complement to BC846 ... BC850 1.Base 2.Emitter 3.Collector SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) O Parameter Symbol Value Unit -VCBO -VCBO -VCBO -VCEO -VCEO -VCEO 80 50 30 65 45 30 V V V V V V -VEBO 5 V Collector Current -IC 100 mA Peak Collector Current -ICM 200 mA Power Dissipation Ptot 300 mW Thermal Resistance from Junction to Ambient Air RθJA 417 Tj 150 O Tstg - 65 to + 150 O Collector Base Voltage Collector Emitter Voltage BC856 BC857, BC860 BC858, BC859 BC856 BC857, BC860 BC858, BC859 Emitter Base Voltage Junction Temperature Storage Temperature Range REV.08 1 of 4 C/W O C C PDF
Документация на BC856 

TO-220F-3L-MOS-F7N65L-7A650V.CDR

Дата модификации: 29.08.2022

Размер: 661.4 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)