BZT52C10

Shikues
BZT52C2V0 THRU BZT52C75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING FEATURES PIN • Total power dissipation: Max. 500mW. • Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V. • Small plastic package suitable for surface mounted design. • Tolerance approximately±5% DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 MECHANICAL DATA ▪Case: SOD-123 ▪Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 1 Simplified outline ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Напряжение стабилизации
Ток стабилизации (макс)
Импеданс (макс)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i U стаб I стаб Z T раб Примечания Карточка
товара
P= BZT52C10 (JSCJ)
 

BZT52C10 (DIODES) 		SOD123 3000 шт Zener Diode, 10V V(Z), 6%, 0.5W
P= BZT52C10 (YJ)
 

BZT52C10 (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 Zener Diode, 10V V(Z), 6%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
P= LBZT52C10T1G (LRC)
 
SOD123
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
BZT52C2V0 THRU BZT52C75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING FEATURES PIN • Total power dissipation: Max. 500mW. • Wide zener reverse voltage range 2.0V to 75V. • Small plastic package suitable for surface mounted design. • Tolerance approximately±5% DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 MECHANICAL DATA ▪Case: SOD-123 ▪Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 1 Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings And Characteristics （Ta = 25 °C） Symbol Value Unit Power Dissipation P tot 500 mW Forward Voltage at I F = 10 mA VF 0.9 V RθJA 340 °C/W T j , T stg -55 ~ +150 °C Parameter Typical thermal resistance juncting to ambient (1) Operating and Storage Temperature Range (1) Thermal resistance from junction to ambient at P.C.B. mounted with 2 .0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper areas pads. Transient Thermal Impedance（ °C /W） Fig.1 Maximum Continuous Power Derating 0.6 Power Dissipation ( W ) 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 25 50 75 100 125 150 175 T c ,Case Temperature (°C) REV.08 Fig.2 Typical Transient Thermal Impedance 2000 1000 100 10 0.01 0.1 1 10 t, Pulse Duration（sec） 1 of 3 100 PDF
Документация на BZT52C10 

SOD123-W-MM1Z2V0~MM1Z75-500mW.cdr

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 423.5 Кб

3 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4728A T/B (DC)