BZT52C4V7

Shikues
BZT52C2V0 THRU BZT52C75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING Features • Total power dissipation: max. 500 mW • Small plastic package suitable for surface mounted design • Tolerance approximately ± 5% PIN DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 Top View Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Power Dissipation Ptot 500 mW ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD123
Напряжение стабилизации
Ток стабилизации (макс)
Импеданс (макс)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i U стаб I стаб Z T раб Примечания Карточка
товара
P= BZT52C4V7 (JSCJ)
 

BZT52C4V7 (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт Zener Diode, 4.7V V(Z), 6%, 0.5W
P= BZT52C4V7 (YJ)
 

BZT52C4V7 (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт
 
 Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.38%, 0.5W, Silicon, Unidirectional
P= LBZT52C4V7T1G (LRC)
 
SOD123 6000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
BZT52C2V0 THRU BZT52C75 Silicon Planar Zener Diodes PINNING Features • Total power dissipation: max. 500 mW • Small plastic package suitable for surface mounted design • Tolerance approximately ± 5% PIN DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 Top View Simplified outline SOD-123 and symbol Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Power Dissipation Ptot 500 mW Junction Temperature TJ 150 O TStg - 55 to + 150 O Symbol Max. RthA 340 VF 0.9 Storage Temperature Range C C Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Thermal Resistance Junction to Ambient Air Forward Voltage at IF = 10 mA 1 of 4 Unit C/W O V PDF
Документация на BZT52C2V4 

Microsoft Word - MM1Z2V0~MM1Z75 Keywords:

Дата модификации: 27.05.2011

Размер: 1.86 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BZT52C5V1 (YJ)