ES2DBG

Диод выпрямительный на напряжение до 200 В, ток до 2 А, с падением напряжения 1 В, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MURS220 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= EFMB204 (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= ES2D-B (ANBON)
 
DO214AA
 
P= ES3D (YJ)
 

ES3D (DIODES)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM)
P= MURS220 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= S1A (DC)
 

S1A (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AA]
P= MURS120-B (ANBON)
 
DO214AA
 
P= MUR120S (TSC)
 
DO214AA 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS220 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= EFM104 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= MURS220 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 5000 шт
 
P= EFMA240 (LRC)
 
DO-214AC SMA в ленте 7500 шт
 
P= MURS220-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= ES2DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 

Файлы 1

показать свернуть
ES2ABG THRU ES2JBG Surface Mount Superfast Recovery Rectifier Reverse Voltage – 50 to 600 V Forward Current –2 A PINNING PIN FEATURES • For surface mounted applications • Low profile package • Glass Passivated Chip Junction • Superfast reverse recovery time • Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 2 1 MECHANICAL DATA • Case : SMB • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • A pprox. Weight : 0.055g / 0.002oz Top View Marking Code: ES2A~ES2J Simplified outline SMB and symbol Absolute Maximum Ratings and Characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Symbols ES2AB G Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 50 100 Maximum RMS voltage V RMS 35 Maximum DC Blocking Voltage V DC 50 Maximum Average Forward Rectified Current at T c = 125 °C I F(AV) 2 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load I FSM 60 A Maximum Forward Voltage at 2 A VF Parameter Maximum DC Reverse Current T a = 25 °C at Rated DC Blocking Voltage T a =125 °C Typical Junction Capacitance at V R =4V, f=1MHz Maximum Reverse Recovery Time (1) Typical Thermal Resistance (2) Operating and Storage Temperature Range ES2EB G ES2GB G ES2JB G Units 150 200 300 400 600 V 70 105 140 210 280 420 V 100 150 200 300 400 600 V 1.25 1 1.68 V IR 5 100 μA Cj 40 pF t rr 35 ns RθJA RθJC 60 20 °C/W T j , T stg -55 ~ +150 °C (1)Measured with I F = 0.5 A, I R = 1 A, I rr = 0.25 A . (2)P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. REV.08 ES2DB G ES2BB ES2CB G G 1 of 3 PDF
Документация на ES2ABG 

SMB-E-ES2AB~ES2JB-2A600V-60mil

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 367.8 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.