MB10S

Shikues
MB1S THRU MB10S 0.8A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER FEATURES: • Glass Passivated Chip Junction • Reverse Voltage - 100 to 1000 V • Forward Current - 0.8 A • High Surge Current Capability • Designed for Surface Mount Application MECHANICAL DATA • Case: MBS • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, 750, Method 2026 • Approx. Weight: 100mg /0.0035oz Maximum Ratings and Electrical ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус MBS
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P= MBL10S (YJ)
 
— 4000 шт
 
 Bridge Rectifier, 1 Phase, 0,5A, 1000V

Файлы 1

показать свернуть
MB1S THRU MB10S 0.8A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER FEATURES: • Glass Passivated Chip Junction • Reverse Voltage - 100 to 1000 V • Forward Current - 0.8 A • High Surge Current Capability • Designed for Surface Mount Application MECHANICAL DATA • Case: MBS • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, 750, Method 2026 • Approx. Weight: 100mg /0.0035oz Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.Single phase half-wave half wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %. Parameter Symbols MB1S MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 100 200 400 600 800 1000 V Average Rectified Output Current at Ta = 50 °C IO 0.8 A IFSM 30 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) at 0.4 A 1.0 VF Maximum Forward Voltage V 1.1 at 0.8 A Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage @TA=25 °C 5 IR Typical Junction Capacitance（Note1） Cj 13 RθJA 95 RθJL 30 Tj, Tstg -55 ~ +150 Typical Thermal Resistance（Note2） Operating and Storage Temperature Range Note: 1. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C. REV.08 μA 40 @TA=125 °C 1 of 3 pF ℃/W ℃ 2. Mounted on glass epoxy PC board with 44×(5×5mm2 ）copper pad. PDF
Документация на MB10S 

Subject:

Дата модификации: 19.09.2016

Размер: 401.1 Кб

3 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 февраля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили дискретные полупроводники SUNCO

    Компания SUNCO является одной из важнейших полупроводниковых компаний КНР с бизнес–моделью IDM (Integrated Device Manufacture). Качество продукции SUNCO высоко ценится производителями электроники во всем мире. Дискретные полупроводниковые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)