MMBF170

Shikues
Транзистор полевой N-канальный; 60 В; 500 мА; -55…150 °C; SOT23-3; Корпус: SOT23-3; Полярность: N; Напряжение пробоя сток-исток: 60 В; Ток стока: 500 мA; Rds(on): 3 Ом; Мощность рассеивания: 0.83 Вт; Рабочая температура TJ: -55...+150 °C
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
MMBF170 N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Features     3 Surface-mounted package Advanced trench cell design Extremely low threshold voltage ESD protected ( HBM > 2KV ) 1 Quick reference      2 Top View BV ≧ 60 V Ptot ≦ 0.83 W ID ≦ 0.5 A RDS(ON) ≦ 3 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) ≦ 4 Ω @ VGS = 4.5 V 1 Gate(G) 2 Source(S) 3 Drain(D) Limiting Values Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VDS Drain-Source Voltage TA = 25 ℃ - 60 V VGS Gate-Source Voltage TA = 25 ℃ - ± 20 V ID* Drain Current TA = 25 ℃, VGS = 10 V - 0.5 Pulsed Drain Current TA = 25 ℃, VGS = 10 V - 1.7 TA = 25 ℃ - 0.83 TA = 100 ℃ - 0.33 , IDM* ** A A W Ptot* Total Power Dissipation Tstg Storage Temperature - 55 150 ℃ TJ Junction Temperature - 150 ℃ IS* Diode Forward Current - 0.4 A - 150 ℃/W RθJA* Notes：* REV.08 TA = 25 ℃ Thermal Resistance- Junction to Ambient Surface Mounted on 1 in 2 pad area, t ≤ 10 sec 1 of 6 ** Pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 % PDF
Документация на MMBF170 

Microsoft Word - T2N7002ELT1G_2012-06-12_.doc

Дата модификации: 12.06.2012

Размер: 771.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)