PZTA42

沁 峙利 PZTA42 SHI KUES NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor B COLLECTOR 2,4 飞�� 3 2 EMITTER SOT-223 ° •ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current (DC ) Total Device Disspation T A=25 C ° Junction Temperature Storage, Temperature Symbol VCEO VCBO VEBO Unit V V V mA Value 300 300 6 500 lC(...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= PZTA42 (JSCJ)
 

PZTA42 (ONS-FAIR)
SOT-223 в коробках 2500 шт
P= AD-PZTA42 (JSCJ)
 
 
A+ MMBTA42G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MMBTA42Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MJD340 (SHIKUES)
 
TO252
 
A+ MMBTA42 (SHIKUES)
 

MMBTA42 (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.