SK03N120B-TF

Shikues
SK03N120B-TF 1200V N-chPlanar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=6Ω@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode BVDSS RDS(ON),typ. ID 1200V 6Ω 3.0A Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power G Ordering Information Part Number SK03N120B-TF S TO-220F Package TO-220F Package No to Scale Absolute Maximum Ratings Symbol D TC=25 ℃ unl...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BL3N150-B (CN BELL)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-263, 1500 V, 3 A, 5,8 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ SK03N150-TF (SHIKUES)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 ± — — — — —
A+ 4N120L-TA3-T (UTC)
 
—
 
 — — —
A+ SK05N120B-TF (SHIKUES)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ BL6N120-A (CN BELL)
 
— в линейках 4 шт
 
 N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ CS3N150AHR (CRMICRO)
 
— в линейках 25 шт
 
 — — —
A+ CS3N150FA9R (CRMICRO)
 
TO220F 54 шт — — —
A+ CS3N120FA9R (CRMICRO)
 
TO220F в линейках 50 шт — — —
A+ CS3N120A4R (CRMICRO)
 
TO252 — — —
A+ CS3N120A0R-G (CRMICRO)
 
TO263
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
SK03N120B-TF 1200V N-chPlanar MOSFET General Features RoHS Compliant RDS(ON),typ.=6Ω@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode BVDSS RDS(ON),typ. ID 1200V 6Ω 3.0A Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power G Ordering Information Part Number SK03N120B-TF S TO-220F Package TO-220F Package No to Scale Absolute Maximum Ratings Symbol D TC=25 ℃ unless otherwise specified Parameter Unit VDSS Drain-to-Source Voltage 1200 VGSS Gate-to-Source Voltage ±30 ID Continuous Drain Current 3.0 IDM Pulsed Drain Current at VGS=10V 12 EAS Single Pulse Avalanche Energy 100 mJ Peak Diode Recovery dv/dt[3] 5.0 V/ns Power Dissipation 30 W V A dv/dt ℃ PD TL TJ& TSTG Derating Factor above 25 0.24 Soldering Temperature Distance of 1.6mm from case for 10 seconds 300 Operating and StorageTemperatureRange -55 to 150 ℃ W/ ℃ Caution: Stresses greater than those listed in the “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. Thermal Characteristics Symbol Parameter Unit RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case 4.17 RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 100 REV.08 1 of 8 ℃/W PDF
Документация на SK03N120B-TF 

PTA03N120_RevA_Datasheet

Дата модификации: 28.09.2021

Размер: 771.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)