SK3139KDT
SK3139KDT
Dual P-Channel Power MOSFET
General Description
Product Summary
This Dual P-Channel MOSFET has been
designed using advanced Power Trench process
to optimize the RDS(ON).
Including two P-ch SK3139KDT MOSFET
(independently) in a package.
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
450mΩ@-4.5V
600mΩ@-2.5V
-20 V
-0.66 A
750mΩ(TYP)@-1.8V
Feature
⚫
High-Side Switching
⚫
Low On-Resistance
⚫
Low Thr...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-563
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-563 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Максимальное напряжение затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.