SGT75T65SDM1P7
Silan
Microelectronics
SGT75T65SDM1P7_Datasheet
75A, 650V FIELD STOP IGBT
DESCRIPTION
C
2
SGT75T65SDM1P7 adopts Field Stop III IGBT technology, offer the
optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC
G
application.
1
FEATURES
3
75A, 650V, VCE(sat)(typ.)=1.65V@IC=75A
Low conduction loss
Fast switching
High input impedance
E
1 2
3
TO-247-3L
ORDERING INFO...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: IGBT транзисторы
- Корпус: TO2473
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2473 |
|---|
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 6
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | UКЭ макс | IК | UКЭ нас | t вкл | t выкл | Диод tвосст | Мощность | Заряд затвора | Вход | Тип | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | CGWT80N65F2KAD (JSCJ) | TO-247-3 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P= | NCE80TD60BT (NCE) | TO-247-3 | 22 шт |
|  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | — | |
| P= | NCE60TD60BT (NCE) | TO-247-3 | в линейках 12 шт |
|  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | — | |
| P= | CRG75T60AK3HD (CRMICRO) | TO-247-3 | в линейках 44 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P= | DG75H12T2 (STARPWR) | TO247MAX | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P= | DG75X12T2 (STARPWR) | TO-247-3 | 1 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  |  |  |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.