DG75H12T2

DG75H12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG75H12T2 1200V/75A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features       Low VCE(sat) Trench IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC VCE(sat) with positive...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: TO247MAX

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= CGWT80N65F2KAD (JSCJ)
 
TO-247-3
 
P= DGW75N65CTL1 (YJ)
 
12 шт
P= NCE80TD60BT (NCE)
 
TO-247-3 22 шт
P= NCE60TD60BT (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 12 шт
P= CRG75T60AK3HD (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
P= DGW75N65CTS2A (YJ)
 
TO-247-3
 
P= DG75X12T2 (STARPWR)
 
TO-247-3 1 шт
 
P= SGT75T65SDM1P7 (SILAN)
 
TO2473
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.