1N5819 D1

SUNCO
Диод выпрямительный на напряжение до 40 В, ток до 1 А, с падением напряжения 600 мВ, производства SUNCO (SUNCO)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO41
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SR140 (ANBON)
 
DO41
 
 — — — — — —
P= 1N5819 (TSC)
 

1N5819 (ONS-FAIR) 		DO41 5000 шт — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N5819 T/B (DC)
 
DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 40 В; Uпрям: 600 мВ; Iпрям: 1 А; N: 1 — — — — — —
P= 1N5819 (YJ)
 

1N5819 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P= 1N5819 (DC)
 

1N5819 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 2500 шт Выпрямительный диод - [DO-41]; Uобр: 40 В; Uпрям: 600 мВ; Iпрям: 1 А; N: 1 — — — — — —
P= LMBR140T1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
1N5817 THRU 1N5819 Schottky Barrier Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power loss ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-204AL(DO-41) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, -compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N5817 1N5818 1N5819 1N5817 1N5818 1N5819 20 30 40 VRRM V IO A 1.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+125 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS 1N5817 1N5818 1N5819 Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A 0.45 0.55 0.6 Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj pF Ta=25℃ 0.2 Ta=100℃ 20 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 60 50 Note1:Pulse test:300uS pulse widh,1% duty cycle Note2:Pulse test:pulse widh 40mS 1/4 S-A247 Rev. 2.2, 26-Jul-23 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на 1N5817 D1 

Microsoft Word - 1N5817 THRU 1N5819

Дата модификации: 12.03.2025

Размер: 660.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)