1N5822 D1

Диод выпрямительный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 525 мВ, производства SUNCO (SUNCO)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SR340 (ANBON)
 
DO201AD
 
P= 1N5820 (DC)
 
DO201AD в коробках 500 шт
 
P= 1N5822 (YJ)
 

1N5822 (ONS-FAIR)
DO201AD в ленте 1250 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
P- 1N5822 (LRC)
 

1N5822 (ONS-FAIR)
DO201AD Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
P- 1N5822 (DC)
 

1N5822 (ONS-FAIR)
DO201AD в ленте 500 шт
 
P- 1N5822R0 (TSC)
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
1N5820 THRU 1N5822 Schottky Barrier Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power loss ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, -compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N5820 1N5821 1N5822 1N5820 1N5821 1N5822 20 30 40 VRRM V IO A 3.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 80 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+125 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj pF TEST CONDITIONS 1N5820 1N5821 1N5822 IFM=3.0A 0.475 0.5 0.525 Ta=25℃ 0.2 Ta=100℃ 20 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 180 Note1:Pulse test:300uS pulse widh,1% duty cycle Note2:Pulse test:pulse widh 40mS 1/4 S-A031 Rev. 2.2, 26-Jul-23 Shanghai Sunco Electronics Co., Ltd www.russiansunco.com PDF
Документация на 1N5821 D1 

Microsoft Word - 1N5820 THRU 1N5822

Дата модификации: 12.03.2025

Размер: 653.4 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.