1N5822

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 525 мВ, ёмкостью перехода 180 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид 1N5340BG

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO201AD
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= SR340 (ANBON)
 
DO201AD
 
 — — — — — —
P= 1N5822 (LRC)
 

1N5822 (ONS-FAIR) 		DO201AD — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR540L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- SR540 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD
A- 1N5822 (DC)
 

1N5822 (ONS-FAIR) 		DO201AD в ленте 500 шт
 
 — — — — — —
A- SR340 (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM)
A- SR340L (YJ)
 
DO201AD 1250 шт
 
 —
A- SB540 (LRC)
 

SB540 (ONS-FAIR) 		DO201AD — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 40V V(RRM), Silicon, DO-201AD

Файлы 1

показать свернуть
RoHS 1N5820 THRU 1N5822 COMPLIANT Schottky Barrier Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Very small conduction losses ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-201AD(DO-27) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code 1N5820 1N5821 1N5822 1N5820 1N5821 1N5822 20 30 40 VRRM V IO A 3.0 Surge(Non-repetitive)Forward Current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 80 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ -55 ~+125 Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Ta=25℃ Ta=100℃ Cj Measured at 1MHZ pF and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. Typical junction capacitance 1N5820 1N5821 1N5822 0.475 0.5 0.525 0.2 20 200 1/4 S-A031 Rev. 2.0, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 1N5822 

Author:

Дата модификации: 24.06.2022

Размер: 179.9 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4007 (YJ)