BAT54CDRF

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный на напряжение до 30 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 240 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT-363
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
BAT54T/AD/CD/SD/BR 200mW Surface Mount Schottky Barrier Diode Small Signal Product SOT-363 Features ◇ Fast switching speed ◇ Low forward voltage drop ◇ Moisture sensitivity level 1 ◇ Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate ◇ Pb free version and RoHS compliant ◇ Green compound (Halogen free) with suffix "G" on packing code and prefix "G" on date code Mechanical Data ◇ Case :SOT-363 small outline plastic package ◇ Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable per MIL-STD-202, method 208 guaranteed ◇ High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s ◇ Weight : 0.006 gram (approximately) Ordering Information (example) Part No. Package Packing BAT54T SOT-363 3K / 7" Reel Packing code Packing code (Green) Manufacture code RF RFG D0 Note : Detail please see "Ordering Information(detail, example)" below. Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Maximum Ratings Parameter Symbol Peak Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM Working Peak Reverse Voltage VRWM Value Units 30 V VR DC Reverse Voltage IF 200 mA Repetitive Peak Forward Current IFRM 300 mA Forward Surge Current @ t < 1.0 s IFSM 600 mA Power Dissipation Pd 200 mW RθJA 625 °C/W Tj, TSTG -65 to 150 Forward Continuous Current Thermal resistance, junction to ambient air Operating and Storage temperature o C Electrical Characteristics Parameter Reverse Breakdown Voltage Symbol Min Max Units V(BR) 30 -- V -- 0.24 -- 0.32 -- 0.40 IF=30mA -- 0.50 IF=100mA -- 1 IR=100μA IF=0.1mA IF=1mA Forward Voltage Reverse current Total Capacitance Reverse Recovery Time IF=10mA VF V VR=25V IR -- 2.0 μA VR=1V, f=1.0MHz CT -- 10 pF IF=IR=10mA, RL=100Ω, IRR=1mA trr -- 5.0 nS Version : D13 PDF
Документация на BAT54CDRF 

BAT54T_D13.xls

Дата модификации: 15.05.2013

Размер: 387.7 Кб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    19 мая 2023
    новость

    Продукция JSCJ для автономных источников питания

    При отключении электроэнергии или в местах отсутствия сетей электроснабжения обеспечить питанием различное оборудование, освещение и зарядить мобильные устройства возможно от автономных источников питания с инвертером. Схематичное устройство... ...читать

    23 марта 2023
    статья

    Диоды и диодные мосты SUNCO – рациональный выбор для любых приложений

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO занимается полным циклом производства полупроводников. Ее продукция отличается широким разнообразием и при этом соответствует мировым стандартам. Выпрямительные и сигнальные диоды,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.