Вход / Регистрация

ES1DAL

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
ES1BAL – ES1JAL Taiwan Semiconductor 1A, 100V - 600V Super Fast Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low power loss, high efficiency Low profile package Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 100 - 600 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package Thin SMA Configuration Single die ● DC to DC converter ● Switching mode converters and inverters ● Freewheeling application MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: Thin SMA Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.029g (approximately) Thin SMA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL ES1BAL ES1DAL ES1GAL ES1JAL UNIT Marking code on the device ES1BAL ES1DAL ES1GAL ES1JAL Repetitive peak reverse voltage VRRM 100 200 400 600 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 70 140 280 420 V Forward current Surge peak forward current single half sine wave superimposed on rated load Junction temperature Storage temperature IF t = 8.3ms t = 1.0ms 1 A 30 A 60 A TJ -55 to +150 °C TSTG -55 to +150 °C IFSM 1 Version: C2103 PDF
Документация на ES1BAL 

Дата модификации: 19.03.2021

Размер: 467.6 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)