HS1DFLRVG

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- ES1DAL (TSC)
 
— 14000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- HS1DAL (TSC)
 
— 14000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
HS1AFL - HS1MFL Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V High Efficient Surface Mount Rectifier FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● ● Glass passivated junction chip Ideal for automated placement Low profile package Low power loss, high efficiency Fast switching for high efficiency Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package SOD-123FL APPLICATIONS ● High frequency rectification ● Freewheeling application ● Switching mode converters and inverters in computer and telecommunication. MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: SOD-123FL Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 1A whisker test Polarity: As marked Weight: 0.019 g (approximately) SOD-123FL ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage, total rms value Forward current Surge peak forward current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load per diode Junction temperature Storage temperature SYMBOL HS1A HS1B HS1D HS1F HS1G HS1J HS1K HS1M UNIT FL FL FL FL FL FL FL FL HAF HBF HDF HFF HGF HJF HKF HMF VRRM 50 100 200 300 400 600 800 1000 V VR(RMS) 35 70 140 210 280 420 560 700 V IF 1 A IFSM 30 A TJ - 55 to +150 °C TSTG - 55 to +150 °C 1 Version:A1804 PDF
Документация на HS1DFLRVG 

Дата модификации: 06.07.2018

Размер: 327.7 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)